litianai发帖:5
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发表于:2013-02-01 15:43
楼主
  半导体元件的过流能力通常用允许的峰值电流IM来衡量,IGBT目前还没有国际通用的标准,按德国EUPEC、日本三菱等公司的产品参数,IGBT的峰值电流定为最大集电极电流(标称电流)的2倍,   例如,标称电流为300A元件的峰值电流为600A;而标称800A元件的峰值电流为1600A。   峰值电流高达10倍额定有效值电流,而且,过流时间长达10ms,而IGBT的允许峰值电流时间据有关资料介绍仅为10us,可见IGBT的过流能力太脆弱了。   承受过流的能力强弱是衡量斩波工作可靠与否的关键,要使电路不发生过流几乎是不可能的,负载的变化,工作状态切换的过度过程,都将引发过流和过压,而过流保护毕竟是被动和有限的措施,要使器件安全工作,最终还是要提高器件自身的过流能力。   另外,由于受晶体管制造工艺的限制,IGBT很难制成大电流容量的单管芯,较大电流的器件实际是内部小元件的并联,例如,标称电流为600A的IGBT,解剖开是8只75A元件并联,由于元件并联工艺(焊接)的可靠性较差,使器件较比单一管芯的晶闸管在可靠性方面明显降低。   原文转载自中国电力电子产业网http://www.p-e-china.com

 
       
     
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